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若摩爾定律不死,2028年實現1nm的晶片,但之後就是數字的遊戲了
這也意味著,下一步的製程將會達到幾nm,這和電晶體的密度無關,而是數碼遊戲,晶片製造商想怎麼做就怎麼做,而不去考慮MP金屬柵極的問題
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遊戲隨後工藝發展到22nm,其溝道關斷漏電到達極致,工業界又發明了FinFET和FD-SOI,前者用立體結構取代平面器件來加強柵極的控制能力,後者用氧化埋層來減少漏電
FinFETGAAFET柵極MOSFET製程2022-12-04
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而浮柵電晶體在常規電晶體的基礎上多了兩層東西,其中一層是隧穿曾,另外一層是浮柵曾,它是這樣儲存資訊的,也就是寫資訊,如果想要它儲存電荷,必須給它一個高壓,比如20伏,這樣電子就能穿過隧穿層進入浮柵層,因為有絕緣層的存在,電子再也不能往前移動
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根據英特爾資料,目前英特爾的10nm工藝在綜合性能上比三星和TSMC的工藝大約領先20%,10nm++工藝甚至會帶來30%以上的提升,也就是說即使都是10nm工藝,其技術差別帶來的效能和密度差距,甚至不比晶體管制造工藝代差小
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