效能提升30%，功耗下降50%！晶片龍頭官宣3nm，比臺積電3nm更先進

文/BU

稽核/子揚 校正/知秋

已經是全球第二大晶片代工巨頭的三星，並不滿足於如今的位置，其一直想要超越臺積電坐上全球第一的位置。

為此，三星一直想要搶先臺積電，公佈下一代先進晶片製程。在

5nm製程上，三星慢了一步；而在接下來將亮相的3nm製程晶片上，三星則有超越的希望。

在日前舉行的“三星代工論壇2021大會”上，三星電子不僅亮出了全新的17nm LPV工藝，更透露了有關3nm晶片的最新訊息。據瞭解，三星電子的新一代3nm晶片將在2022年上半年實現量產。

這一時間雖比三星電子原本計劃中的

2021年下半年量產要晚，但比臺積電計劃的2022年年中量產還是更早。而且此前還有訊息稱，臺積電3nm將延期釋出。

也就是說，在

3nm晶片製程上三星有望搶得先機，實現對臺積電的超越。若真如此，憑藉著先發優勢三星電子有望搶下更多的客戶，進而提升自己的市場佔比。

而且值得注意的是，在

3nm製程技術上三星電子更為激進，這就使其產品更為先進。

與繼續沿用更為成熟的FinFET技術的臺積電不同，三星電子認為FinFET電晶體結構的潛力已經不多，因此其率先在3nm工藝中引入了GAA（全環繞柵極電晶體）技術。

與

FinFET相比，GAAFET架構的電晶體擁有更優秀的靜電特性，且溝道控制能力更強。因此，GAA技術能實現更小晶片尺寸，從而帶來更強悍的性鞥呢提升。

據瞭解，三星電子為了發揮

GAA的優勢，補足其短板費了不小的功夫。如今來看，三星電子的種種努力並沒有白費。

在日前舉行的論壇中，三星電子表示，其3nm GAA有望讓面積實現35%的縮減，而效能則大增30%，同性能下功耗更是降低50%。這一數值十分亮眼，料想其推出的晶片產品表現也不會差。

據悉，在

2022年年初時，3nm 3GAE（低功耗版）有望進入量產階段；而在2023年年初，3nm 3GAP（高效能版）則有望實現量產。

也就是說在

3nm晶片上，三星晶片的量產時間與質量，都有望優於臺積電。若真如此，明年或許便是三星電子的圓夢時刻，其有望從臺積電手中搶過蘋果、高通等客戶。

有了在3nm製程上的經驗，三星電子在2nm製程上的GAA技術將更是成熟，三星研發起來也將更加得心應手。因此，在2nm製程上三星電子的進度也有望不輸臺積電。

據瞭解，三星電子

2nm產品有望在2025年實現量產，令人期待。

如今來看，臺積電正面臨著不小的威脅。雖然在晶片代工市場中，臺積電以超半數的市場份額，地位看似穩固。

但其實，三星電子、英特爾等都對臺積電虎視眈眈，且二者都有著不俗的實力。這樣看來，臺積電在未來發展中，還是有著許多的挑戰。

面對這樣的狀況，臺積電將如何應對，這令人十分期待。同時，三星

3nm能否按照計劃如期問世，也讓我們拭目以待。