分享西安輝成光學清洗純水裝置EDI裝置化學清洗及滅菌方法例項

硫酸分析純是什麼意思

分享西安輝成光學清洗純水裝置EDI裝置化學清洗及滅菌方法例項，給光學清洗純水裝置使用客戶在平時維護工作中作參考。專案說明：輝成光學清洗純水裝置EDI裝置設計產水量為5噸每小時，選用艾孚爾模組，共3塊。其EDI前處理工藝主要為兩級反滲透。由於EDI前處理工藝各中轉水箱都是敞開系統，並非完全密閉，在與空氣的接觸中，會引入細菌和微生物。在長時間（約1年以上時間） 的執行過程中，細菌和微生物就會在EDI內部通道累積滋生並導致EDI逐漸汙染。同時，當原水水質隨季節變化、前處理工藝反滲透裝置隨執行時間增長其使用效能逐漸下降的過程中，還會引起EDI進水電導率發生變化和EDI濃水通道和極水通道逐漸結垢，阻塞EDI離子交換通道， 減小離子交換速度，並導致EDI各項執行指標逐漸下滑，產水水質逐漸變差。

一，西安輝成光學清洗純水裝置EDI裝置化學清洗及滅菌方法為定期清洗方法（每年一次），主要採用酸性清洗、鹼性清洗和滅菌維護逐步進行。酸性清洗的藥劑主要選用鹽酸（分析純），用於清除濃水道、極水道的碳酸鹽垢、硫酸鈣、金屬氧化物和鐵鋁膠體等。鹼性清洗的藥劑主要選用固體NaOH（分析純） 和新增劑WPEGE-EDI502，主要用於清洗淡水道的有機物、膠體汙染等。滅菌過程選用的藥劑是殺菌劑對模組無氧化損傷。具體清洗方法及需要控制的相關引數如表1所示。

1。西安輝成光學清洗純水裝置EDI裝置清洗及滅菌結果及評價：

透過上述的清洗方法，對EDI起到了很好的維護保養效果，使EDI裝置延長了使用壽命，在連續執行近4年時間裡，各項引數能夠保持在良好的指標範圍內執行。西安輝成光學清洗純水裝置EDI裝置清洗前後資料（清洗過程中進水電導率為1。4uS/cm，進水水溫為24。1℃）如表2所示。

對清洗前後的EDI各項執行引數進行分析， 可以得出如下結論：

（1）從清洗前後的資料對比來看，進水壓力由0。35MPa降至0。33MPa， 產水流量由20。3m/h上升至24。1m/h，產水電阻率由16。8MQ·cm提升至17。7MQ·cm，關鍵的清洗指標都發生了明顯變化，清洗效果很好。

（2）清洗後產水電阻率有所提升，EDI工作電流有提高，出水水質更好，這與清洗前EDI內部有汙堵，導致電阻值相對較大，電流相對較小而使裝置脫鹽能力降低有關。

（3）濃水流量由0。85m/h提升至0。9m/h，說明對濃水通道結垢去除有效果。

2。西安輝成光學清洗純水裝置EDI裝置清洗過程及注意事項：

（1） 清洗之前，需要根據EDI裝置執行資料和EDI出水水質、進水口管道附著物等取樣化驗來確認汙堵狀況。

（2）清洗過程中要將清洗藥液溫度儘可能控制在30℃左右，因為藥液溫度過低或過高均不利於提升清洗效果。

（3）直通清洗和迴圈清洗過程均採用藥液小流量、低壓力方式進行， 以避免對EDI裝置使用壽命造成影響。

（4）每完成一項清洗步驟，務必用二級反滲透產水沖洗清洗水箱、系統管路及EDI內部，才可進行下一步清洗步驟，避免酸、鹼在EDI裝置內部混和。

（5） EDI清洗藥品純度要求高，最好為分析級，如採用雜質較高的藥品或不明來源的藥品，會對純水系統及EDI裝置造成汙染，影響水質， 尤其對於用在微電子行業的超純水系統，在使用清洗EDI的相關藥品時必須更加註意。

（6）滅菌過程最好採用無殘留的非氧化型殺菌劑， 避免氧化劑對EDI內部樹脂及半透膜產生降解作用，縮短EDI使用壽命。

（7） EDI系統化學清洗後還不能直接投入執行，因為化學清洗及滅菌會破壞EDI內部離子交換樹脂帶電電荷平衡，使裝置清洗完成後初始執行產水達不到合格標準， 需要透過對EDI帶電一段時間，使離子交換樹脂在電場的作用下再生。EDI電再生前，要確認調整EDI的執行壓力和流量至清洗前的正常狀態後，並將EDI產水迴流至二級反滲透產水箱以便節水。對整流器送電開始再生，每模組執行電流最好控制在2。5A，電壓100V左右。透過重新再生，產水電阻率約4h後可以提高至1MQ·cm，約30h產水電阻率可提升至17MQ·cm以上。

西安光學清洗純水裝置執行狀況的好壞和裝置使用壽命長短取決於其進水水質的好壞，長時間的連續執行會造成EDI裝置內部各通道被有機物和微生物汙堵，而前處理工藝如超濾或兩級反滲透設計不當、維護不及時或出現故障後沒有采取正確處理方法等原因，會進一步惡化EDI進水水質，影響EDI裝置正常執行和使用壽命。對於不同的汙堵原因，所採用的清洗方式也會有所不同。

西安輝成光學清洗用5T/H雙級RO+EDI純水裝置